- Autor(in)
- Referenz
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1 Brooks, H., Adv. Electronics Electron Phys. 7 (1950) 158.
2 Eisenberg, W., Unger, K., Ann. Physik, Leipzig 31 (1974) 125.
3 Eisenberg, W., Diss., Sektion Physik der Karl-Marx-Univ. Leipzig 1972.
4 Friedel, J., Phil. Mag. 43 (1952) 153.
5 Fistul, W. I., Stark legierte Halbleiter (russ.). Moskau: Nauka 1967.
6 Askerov, B. M., Kinet. Effekte in Halbleitern (russ.). Moskau: Nauka 1970.
7 Unger, K., Wiss. Z. Karl-Marx-Univ. Leipzig 20 (1971) 93.
8 Hörig, W., Dissertation, Sektion Physik der Karl-Marx-Univ. Leipzig 1971.
9 Moore, E. J., Phys. Rev. 160 (1967) 607, 618.
- Seitenbereich
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0131 - 0136
- Zusammenfsg.
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A selfconsistent scattering-potential for a ionized impurity in a semiconductor with a isotropic effective mass and arbitrary degree of degeneracy is derived. For this scattering-potential the mobility formula for electrons is deduced, the corrections to the Brooks-Herring-formula are evaluated for the case of <I>n</I>-type GaAs.
- Artikel-Typen
- Forschungsartikel