- Autor(in)
- Referenz
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1 Gobrecht, R., Phys. stat. sol. 13 (1966) 429.
2 Grube, G., H. Vosskühler u. H. Schlecht, Z. Elektrochem. 40 (1934) 270.
3 Spicer, W. E., Phys. Rev. 112 (1958) 114.
4 Sommer, A., u. W. E. Spicer, J. Appl. Phys. 32 (1961) 1036.
5 Brauer, G., u. E. Zintl, Z. phys. Chem. B 37 (1937) 323.
6 Nemilov, I. A., u. V. E. Privalova, Fiz. Tverd. Tela 2 (1960) 1308.
7 Nemilov, I. A., u. V. E. Privalova, Zh. tekh. Fiz. 1 (1956) 1, 61.
8 Sommer, A. H., J. Appl. Phys. 29 (1958) 1568.
- Seitenbereich
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0262 - 0264
- Zusammenfsg.
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Im folgenden wird über die Präparation dünner, natriumfreier Lithiumbismutidschichten berichtet. Die während der Formierung von Li - Bi aufgenommene Leitfähigkeitskurve zeigt in ihrem Verlauf ein Minimum, das der valenzmäßig zusammengesetzten Verbindung Li<sub>3</sub>Bi zuzuordnen ist. Auf Grund der aus der spektralen Verteilung des äußeren Photoeffekts sowie der Temperaturabhängigkeit der Leitfähigkeit von Li<sub>3</sub>Bi gewonnenen energetischen Daten werden einige Aussagen über die Halbleitereigenschaften von Lithiumbismutid gemacht.
- Artikel-Typen
- Forschungsartikel