- Autor(in)
- Referenz
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1 G. N. Roberts A. R. W. A. Scarr, International Convention on Transistors and Associated Semiconductors Devices, London, May 1959, No. 2919.
2 C. A. Hogarth, A. Langridge A. I. M. Ziman, Transistors and Associated Semiconductor Devices, London, May 1959, No. 2968.
3 O. Madelung, Handbuch der Physik, Bd. XX, S. 145ff. Springer-Verlag, Berlin 1957.
4 R. L. Cummerow, Physic Rev. 95, 16 (1954).
5 P. J. Price, Philos. Mag. 1252 (1955).
6 G. K. White A. S. B. Woods, Can. J. Phys. 33, 58 (1955).
Proc. i. E. E. B 106, (1959), im Druck.
Proc. i. E. E. B 106, (1959).
- Seitenbereich
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0025 - 0030
- Zusammenfsg.
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In einer <I>p-n</I>-junction, die sich in einem Temperaturfeld befindet, tritt ein zusätzlicher elektrischer Strom in Sperrichtung auf. Eine durch die Elektron- und Löcherleitung bedingte Unsymmetrie im Wärmetransport dürfte wegen der großen Gitterwärmeleitfähigkeit kaum zu beobachten sein.
- Artikel-Typen
- Forschungsartikel