Wechsellichtmessungen an photoleitendem CdS als Methode zur Bestimmung von Beweglichkeit und Haftstellenverteilung. I
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1 J. Faßbender u. H. Lehmann, Ann. Physik (6) 6, 215 (1949).
3 Vgl. z. B. W. Shockley, Electrons and Holes in Semiconductors, New York 1950.
4 Eine andere, in den Voraussetzungen ähnliche Herleitung eines Näherungsausdruckes für dnh/dne, der mit der nullten Ordnung von (21) im Prinzip übereinstimmt, bei: I. Broser u. R. Warminsky, Z. Physik 133, 340 (1952).
6 E. A. Niekisch, Ann. Physik (6) 15, 288 (1955).
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